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在已有的高压电路中(1600V,通过DC/DC升压获得)利用高压可控硅25TTS16(也可以其它型号)或高压IGBT控制高压的放电。
要求:
1. 利用可控硅或IGBT控制已充高压电容1600V左右按一定的频率20HZ放电;
2. 通过单片机输出一个脉冲频率控制可控硅或IGBT高压电容放电,放电频率在20HZ(已有DC/DC升压电路保证高压充电到1600V左右)。
3. 提供控制电路图及指导调试参数。
4. 电路打样及样机调试可由我们自己做。
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2、项目预算与报价不代表最终成交价格,成交价以双方协商为准;
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