发布成功
二.MOS管的数理模型
2.1 MOS管的结构及基本原理
2.2 MOS管的I~V特性
2.3MOS管的击穿特性
2.4 MOS管的C~V特性
三.MOS制备工艺
2.1 离子注入
工艺的意义,工艺采用的模型,不同模型下器件结构差异,构造至少2种模型
2.2 光刻
2.3
四.MOS管器件仿真
4.1 IV特性
(结构1,结构2)
4.2CV特性
4.3击穿特性
五.DevEDIT生成MOS结构及仿真
4.1结构生成
4.2仿真
六.结论
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