同步整流原理和mos管的参数

同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC／DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。

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用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。基本的变压器抽头方式双端自激、隔离式降压同步整流电路。单端自激、隔离式降压同步整流电路。基本原理，V1及V2为功率MOSFET，在次级电压的正半周，V1导通，V2关断，V1起整流作用；在次级电压的负半周，V1关断，V2导通，V2起到续流作用。同步整流电路的功率损耗主要包括V1及V2的导通损耗及栅极驱动损耗。当开关频率低于1MHz时，导通损耗占主导地位；开关频率高于1MHz时，以栅极驱动损耗为主。

半桥他激、倍流式同步整流电路。该电路的基本特点是：1）变压器副边只需一个绕组，与中间抽头结构相比较，它的副边绕组数只有中间抽头结构的一半，所以损耗在副边的功率相对较小；2）输出有两个滤波电感，两个滤波电感上的电流相加后得到输出负载电流，而这两个电感上的电流纹波有相互抵消的作用，所以，最终得到了很小的输出电流纹波；

3）流过每个滤波电感的平均电流只有输出电流的一半，与中间抽头结构相比较，在输出滤波电感上的损耗明显减小了；4）较少的大电流同步整流原理连接线，在倍流整流拓扑中，它的副边大电流连接线只有2路，而在中间抽头的拓扑中有3路；5）动态响应很好。它唯一的缺点就是需要两个输出滤波电感，在体积上相对要大些。但是，有一种叫集成磁的方法，可以将它的两个输出滤波电感和变压器都集成到同一个磁芯内，这样可以大大地减小变换器的体积。

mos管动态参数。IGSS：栅源驱动电流或反向电流。由于MOSFET输入阻抗很大，IGSS通常在纳安级。IDSS：饱满漏源电流，栅极电压VGS=0、VDS为必定值时的漏源电流。通常在微安级。VGS（th）：敞开电压（阀值电压）。当外加栅极操控电压VGS超越VGS（th）时，漏区和源区的外表反型层形成了衔接的沟道。应用中，常将漏极短接前提下ID即是毫安时的栅极电压称为敞开电压。此参数通常会随结温度的上升而有所下降。RDS（on）：在特定的VGS（通常为10V）、结温及漏极电流的前提下，MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数通常会随结温度的上升而有所增大（正温度特性）。故应以此参数在最高作业结温前提下的值作为损耗及压降计算。Tj：漏源击穿电压的温度系数，通常为0.1V/℃。

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mos管静态参数。TSTG：存储温度范围。Tj：最大作业结温。通常为150℃或175℃，器材规划的作业前提下须确应防止超越这个温度，并留有必定裕量。（此参数靠不住）VGS：最大栅源电压。通常为：-20V~+20V。PD：最大耗散功率。是指场效应管机能不变坏时所容许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实践功耗应小于PDSM并留有必定余量。此参数通常会随结温度的上升而有所减额。（此参数靠不住）IDM：最大脉冲漏源电流。表现一个抗冲击才能，跟脉冲时刻也有联系，此参数会随结温度的上升而有所减额。ID：最大漏源电流。是指场效应管正常作业时，漏源间所容许经过的最大电流。场效应管的作业电流不应超越ID。

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