压控晶体振荡器是石英晶体振荡器的一种, 主要用于调频及锁相技术。具有传输性能好、抗干扰性强、节省功率等优点。压控电压变大时 ,振荡频率变高 ,压控电压变小时, 振荡频率变低 , 这种关系称为正斜率。这种电压控制回路在实际应用比较常见 ,另外还有一些在实际应用中比较少见的电压控制回路。

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具有负斜率特性的压控回路。实际应用中有时需要一种负斜率的压控特性,即压控电压变大, 振荡频率变低，压控电压变小，振荡频率变高。加在变容二极管两端的反向偏压 VR ≈ V0 -VC ,当 VC 增大时 VR减小,变容二极管的结电容变大,振荡频率降低; 反之,VC 减小时 VR 增大,变容二极管的结电容变小,振荡频率升高。 有提升电压的压控回路。有时压控晶振指标给出的压控电压范围很窄,需要的压控频偏范围却很宽 ,而且对称性的要求也很严格 ,这时由于给出的中心电压很低,不容易满足上述指标,利用电路手段提高中心电压。

晶振的温频特性由石英谐振器的温频特性和振荡电路的温频特性两部分组成。其中，石英谐振器是晶振中的关键元器件，对于一定的切型和切角，具有相应的频率温度特性。通常情况下，晶振电路中各种元器件温频特性的影响较小。因此，晶振的温频特性与其内部石英谐振器的温频特性较为接近。但当晶振压控范围过宽时，振荡电路中各元器件温频特性的影响加大。而且，为了保证谐振回路的正常工作，通常会使用较大的激励功率，结果导致晶振的温度特性变差。对于高频压控晶振，这种现象更为突出。虽然，通过温补或恒温等措施可以改善压控晶振的温频特性，但是会显著增加电路的复杂度和功耗。因此，为了改善高频压控晶振的温频特性，需要采取更加简便有效的措施，以减少振荡电路的影响。

压控晶振输入电压和输出频率的关系。VCXO压控振荡器的频率偏移值同加在其调谐电路上的控制电压的大小有关。VCXO标称频率对应的调谐电压规定为VCC（电源电压）的一半。VCC为5V的VCXO，控制电压为2.5V时就产生中心频率。控制电压为（0.5～4.5）V的VCXO，其频率变化曲线的斜率为正。也就是说，当控制电压从2.5V上升为4.5V时，振荡器的频率将增大；当控制电压从2.5V降为0.5V时，振荡器的频率将减小。

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振荡器的频率随控制电压变化的特性，往往用调谐灵敏度这一物理量来描述。调谐灵敏度用单位10－6/V表示。如果VCXO的牵引度为±100 10－6，控制电压范围为（0.5～4.5）V，则其调谐灵敏度等于50 10－6/V。要求控制电压没有噪声或其它可能引起石英晶体振荡器频率和输出波形特性发生突变的瞬态过程，这一点很重要。为把噪声减至最小，经常采取的措施是在电路板上把模拟信号与数字信号分别接地。

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