电子方案开发供应链平台
免费发布需求
一键发布任务
获取验证码

抵抗疫情共度难关,发布项目即可参与百万项目补贴。点击查看活动详情>>

返回

赞赏作者

赞赏金额:

  • ¥2
  • ¥5
  • ¥10
  • ¥50
  • ¥100
  • ¥200

支付金额:5

支付方式:

微信支付

赞赏成功!
你的赞赏是对作者最大的肯定~?

当前位置 : 首页 > 方案讯 > 方案讯详情
台积电2nm制程研发取得重大突破:将切入GAA技术
发布时间:2020-07-13 阅读量:221 来源:Techweb 作者:

7月13日消息,据台湾媒体报道,台积电冲刺先进制程,在2nm研发有重大突破,已成功找到路径,将切入环绕式栅极技术(gate-all-around,简称GAA)技术。

台积电1..jpg

台媒称,三星已决定在3nm率先导入GAA技术,并宣称要到2030年超过台积电,取得全球逻辑芯片代工龙头地位,台积电研发大军一刻也不敢松懈,积极投入2nm研发,并获得技术重大突破,成功找到切入GAA路径。

台积电负责研发的资深副总经理罗唯仁,还为此举办庆功宴,感谢研发工程师全心投入。

台积电3nm制程预计明年上半年在南科18厂P4厂试产、2022年量产,业界以此推断,台积电2nm推出时间将在2023年到2024年间。

台积电今年4月曾表示,3nm仍会沿用FinFET(鳍式场效应晶体管)技术,主要考虑是客户在导入5nm制程后,采用同样的设计即可导入3nm制程,可以持续带给客户有成本竞争力、效能表现佳的产品 。

文章评论

您需要登录才可以对文章进行评论。

没有账号?立即注册

最新活动
意见反馈
取消
请输入正确的手机号码!