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据彭博报道,台积电将于2022年下半年开始量产3纳米芯片,单月产能5.5万片起。
报道援引台积电董事长刘德音称,3纳米芯片开始量产时公司在台南科学园的雇员数将达到约2万人,目前为1.5万人。
今年8月份,台积电高级副总裁米玉杰表示,该公司有计划继续提供有意义的节点改进,直到N3及以下。台积电预计N3将在2022年成为最新、最先进的节点。与N5相比,收益同样不大,性能仅提升1.1-1.15倍,功耗降低1.25-1.3倍。这些增益是相对于N5而言的,而不是N5P。与7纳米相比,N3在同样的功率下,性能应该提高1.25倍-1.35倍,或者在同样的性能下功耗降低1.55倍-1.6倍。在这些比较中,你看到的所有倍数都是假设一个理想化的晶体管,并不一定符合AMD、英特尔甚至英特尔实际制造的产品。
IT之家了解到,台积电N3将继续使用FinFET鳍式场效晶体管,而不是过渡到GAA环绕式结构场效晶体管。这与三星不同,三星已经表示要在3纳米节点使用GAA。