借力意法FD-SOI 三星eMRAM进驻MCU早有计划

为什么说三星16nm MCU的关键在于MRAM技术，一半是进入20nm以下领域，除了eMRAM暂无他法。另一半则在于，三星在MRAM技术上的布局由来已久，而以eMRAM抢下MCU代工订单的图谋，也有迹可循。  

在2002年开启MRAM研发工作后，三星在2005年又率先开始了STT-MRAM的研发，该技术后来被证明可以满足高性能计算领域对最后一级缓存的性能要求，被认为是MRAM突破利基市场的利器，已成为包括台积电在内的代工厂攻克MRAM的主要方向。  

在此之后，成本和工艺的限制，让三星的MRAM研发逐渐走向低调，在这期间，与FinFET技术齐名的FD-SOI，在以Leti、Soitec、意法半导体为代表的欧洲半导体科研机构和公司相继迎来技术突破，快速发展，为MRAM的商业化应用埋下了伏笔。  

2014年，三星与意法半导体签订28nm FD-SOI技术多资源制造全方位合作协议，授权三星在芯片量产中利用意法半导体的FD-SOI技术。也是在这一年，三星成功生产了8Mb eMRAM，并利用28nmFDS，在2019年成功量产首款商用eMRAM。  

据三星介绍，利用其28nmFDS工艺技术制作的eMRAM模块，只要增加3个掩模，就可以集成到芯片制造过程的后端。因此，该模块被允许插入使用批量、FinFET或FD-SOI制造工艺生产的芯片中，而不一定取决于所使用的前端制造技术。  

由此也可以看出，三星与意法半导体早已在eMRAM领域进行了深入的绑定，由此推测三星凭借eMRAM技术拿下意法半导体16nm MCU外包订单也顺理成章。另外，从三星近年来的对外发言中也可知，其对eMRAM应用至MCU早有计划。  

2017年，三星与NXP达成代工合同，从这一年起，NXP的IoT SoC i.MX系列将通过三星28nm FD-SOI工艺批量生产，并计划2018年将三星的eMRAM嵌入式存储器技术将用于下一代SoC和MCU，NXP也由此成为三星MCU代工的首个客户。  

2019年，在三星推出首款商用eMRAM的同时即表示，MCU将是eMRAM的主要应用方向之一，未来将继续扩大其嵌入式非易失性内存产品，其中包括1gb eMRAM测试芯片，并计划使用其18FDS工艺制造eMRAM，以及更先进的基于FinFET的节点。  

三星宣布将改进其MRAM的MTJ功能，使其适合更多的应用。而在第五届年度三星代工论坛上，三星进一步表示，其正在推进其14nm工艺，下一代eMRAM的目标是MCU、物联网、可穿戴设备等应用。  

方案介绍

基于MCU的LED可控硅调光电源

方案简介

LED驱动，可定制恒压、恒流，MCU智能化检测技术，可兼容市面所有主流的调光器及系统，提供软、硬件全套量产资料。  

性能参数

行业分类 : 智能家居  

开发平台 : Holtek 合泰  

交付形式 : 整机,软件  

性能参数 : 10-200W  

应用场景 : 应用于调光灯带及LED筒灯

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基于新唐MS51开发的电池管理系统（BMS）—单颗MCU（无AFE）方案

方案简介  

1：基于MS51开发由分立器件组成的电池管理系统（BMS）方案，是电池与用户之间的纽带，主要就是为了提高电池的利用率，防止电池出现过度充电和过度放电。  

2：LED指示说明  

•蓝灯长亮系统开机状态  

•闪亮表示进入充电状态  

•蓝灯灭进入待机状态，按按键或者外部电源插入时开机

性能参数

行业分类 : 电源电池  

开发平台 : Nuvoton 新唐  

交付形式 : PCBA  

性能参数 : 运行速度 : 24 MHz,电池电压测量 : 5至10节  

应用场景 : BMS 电池保护板

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技术服务靳工：15529315703

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